为提升内存容量减少硬盘数量，科学家需要找到适合记忆存储的材料。在一些被称为铁电材料的氧化物陶瓷中，存在可切换电偶极子的微小域。两个相反的偶极方向可以被用作计算机内存的两个逻辑信号“0”和“1”。而挑战的关键是如何把域在“0”和“1”之间切换。
传统的技术采用局部加热、机械应力或者电偏压来切换，但具有某些缺陷。陈子斌等人发现，高能量电子束引入的电场可以实现切换，并有能力将当前域的尺寸缩减到百分之一，从而让数据存储能力大大增强。
领导研究的廖晓舟教授指出，电脑硬盘故障的可能原因是磁头碰撞，磁头可能接触或划伤数据存储介质盘片的表面，导致数据丢失。但新方法不需要与数据存储介质有任何的物理接触，因此避免了对硬盘的物理性损害。
上述研究成果已发表在美国《物理评论快报》期刊上。
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本文转自d1net（转载）
时间： 2024-04-22 01:12:35